| 型号： | MTW32N20EG | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 200V 32A TO247 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| MTW32N20EG PDF |  |
| 产品变化通告 | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 产品目录绘图 | MOSFET TO-247AE |
| 标准包装 | 30 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MTW32N20EGOS |